SK하이닉스는 차세대 인공지능(AI)용 고성능 D램 신제품 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다. SK하이닉스는 “그동안 축적해 온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다”면서 “핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다”고 말했다. 이번 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해, AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다. 또한 HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다. 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다. HBM4E에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다. 특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아 온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”면서 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 전했다. 금윤호 더나은미래 기자
