삼성전자가 차세대 AI 제품군과 기술 로드맵을 제시하며 시장 선점에 나섰다.
삼성전자는 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 ‘zHBM’과 ‘zNAND-O 목업(Mock-up)’을 업계 최초로 공개했다고 5일 밝혔다.
zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.
AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화해 대역폭과 전력효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다.
zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 8세대 고대역폭메모리 ‘HBM5’ 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다.
또한 짧아진 데이터 간 이동 거리로 인해 HBM5 대비 전성비를 최대 3배 향상시키고, 열 저항을 절반 이상 낮춰 고용량·고대역폭 시스템의 안정성과 전력효율을 극대화한다.
zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 낸드 플래시 솔루션으로, 기존 V-낸드의 수직 적층 기술을 활용하고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.
삼성전자는 행사 첫날인 4일에는 이진엽 플래시 개발실 부사장과 김경륜 D램 개발실 상무가 기조연설을 진행했다. 이 부사장과 김 상무는 기조연설에서 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 HPC 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다.
또한 삼성전자는 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-낸드 ‘V10 BV-낸드’를 공개했다. 10세대 BV-낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 성능과 전력효율을 높인 차세대 낸드 제품이다.
삼성전자는 전작인 286단 9세대 낸드 다음 제품으로 300단대를 건너뛰고, 400단대 제품을 선보였다. 10세대 BV-낸드는 단순히 적층 수를 늘리는 데 그치지 않고 데이터 읽기, 쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 전 세대 대비 향상시켜, 고성능·고용량 낸드 시장에 최적화된 경쟁력을 확보했다.
삼성전자는 이번 전시에서 ▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.
금윤호 더나은미래 기자
