SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 패키지 발열을 낮춰 안정적인 동작을 확보할 수 있는 신기술을 선보였다.
SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 패키지 발열을 낮춰 안정적인 동작을 확보할 수 있는 신기술을 선보였다.
SK하이닉스가 HBM 패키지에 일체형 냉각 요소 ‘ICE(Integrated Cooling Elements)’를 내재해 발열을 획기적으로 낮춘 ‘iHBM’ 기술을 26일 공개했다고 밝혔다.
iHBM 기술은 이 문제를 구조적으로 해결한 것이 특징이다. 그동안 기존 HBM은 열을 코어 다이(Core Die)를 거쳐 외부로 내보내는 간접적 방식을 취해왔다.
반면 iHBM은 발열이 가장 집중되는 ‘다이 간 물리층(D2D PHY) 영역 안에 열 제어 소자(ICE)를 넣어 열이 빠져나갈 수 있는 전용 경로(Heat Path)를 별도로 만든 것이 핵심이다. 이를 통해 기존 대비 열저항(Thermal Resistance)을 30% 이상 낮추고, 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작 특성을 유지할 수 있다.
양산성 측면에서도 강점을 갖췄다. 이미 시장에서 검증된 Advanced MR-MUF 기반 WLP 공정을 적용해 안정적인 대량 생산이 가능하다. 고객사의 기존 SiP 환경과 높은 설계 호환성을 확보한 만큼 고객들은 큰 설계 변경 없이 적용이 가능해 실질적인 도입 부담도 낮췄다.
이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)은 “iHBM은 메모리 설계 역량과 첨단 패키징 기술을 결합해 개발한 발열 최소화를 위한 최적의 설루션”이라면서 “AI 환경에서 고객이 필요로 하는 가치를 선제적으로 제공하고 AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다”라고 전했다.
금윤호 더나은미래 기자
